超高压/高频宽禁带半导体器件:面向碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）及氧化镓（Ga₂O₃）等超宽禁带材料，研究器件物理极限、界面缺陷调控与可靠性优化，开发适用于极端条件（高温、高辐射、高频）的功率芯片。
探索金刚石半导体、二维材料异质集成等新体系，突破传统硅基器件的效率瓶颈。
下一代功率器件：设计新型MOSFET、IGBT和二极管，为可再生能源系统、电动汽车和智能电网提供卓越性能。
器件物理与建模：利用先进的仿真工具，深入研究载流子动态、热管理和高功率器件的可靠性。
二维材料集成：探索石墨烯等二维材料在提升功率电子性能中的应用。
可持续电子技术：开发高效节能器件，支持碳中和技术，降低全球能耗。
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报考该导师研究生的方式欢迎你报考杨峰老师的研究生，报考有以下方式：
1、参加西南交通大学暑期夏令营活动，提交导师意向时，选择杨峰老师，你的所有申请信息将发送给杨峰老师，老师看到后将和你取得联系，点击此处参加夏令营活动
2、如果你能获得所在学校的推免生资格，欢迎通过推免方式申请杨峰老师研究生，可以通过系统的推免生预报名系统提交申请，并选择意向导师为杨峰老师，老师看到信息后将和你取得联系，点击此处推免生预报名
3、参加全国硕士研究生统一招生考试报考杨峰老师招收的专业和方向，进入复试后提交导师意向时选择杨峰老师。
4、如果你有兴趣攻读杨峰老师博士研究生，可以通过申请考核或者统一招考等方式报考该导师博士研究生。
