杨峰，博士，副研究员，2008年于浙江大学获得材料科学与工程博士学位，同年6月到西南交通大学超导与新能源研究开发中心工作。在光电功能纳米材料、半导体表面物理、半导体缺陷表征分析、忆阻器等领域发表SCI论文60余篇，包括IEEE Trans. Circuits Syst. II, IEEE Trans. Electron Devices, ACS Appl. Mater. Interfaces, Appl. Phys. Lett., Phys. Rev. B等，获得国家发明专利授权20余件（第一发明人），H因子26。主持和参与国家级、省部级项目10余项。
本科：燕山大学，2002获工学学士学位
硕士：燕山大学，亚稳材料国家重点实验室，2005获材料物理硕士学位，研究方向：半导体物理，表面光电物理
博士：浙江大学高分子系，硅材料国家重点实验室，2008获材料科学与工程博士学位，研究方向：半导体物理，纳米光电功能材料
2008.6 - 2011.8 西南交通大学，助理研究员
2011.9 - 至今 西南交通大学，副教授
研究方向与前沿突破
本课题组聚焦功率半导体物理与器件领域的国际前沿，致力于攻克高功率、高效率、高可靠性的半导体器件关键技术。
当前主要研究方向包括：
宽禁带与超宽禁带半导体器件：基于氮化镓（GaN）和氧化镓（Ga₂O₃）等新型材料，开发高击穿电压、低导通电阻的功率器件，突破硅基器件的物理极限。研究涵盖器件物理新机理、三维电荷平衡设计及集成技术，推动新能源汽车、智能电网等领域的能效革命；
高压功率器件与集成技术：针对新能源、电力电子系统需求，探索超结（Super Junction）MOS器件的三维结构优化与封装应用，提升器件耐压能力与功率密度；
半导体光电子与功率器件交叉创新：结合MOCVD外延技术，研发高功率LED、蓝光激光器及Si基电子功率器件，探索光电子与功率器件的协同集成路径；
基于新型运算机制和神经网络的半导体新器件设计。
科研平台与合作网络
课题组依托学院和株洲中车时代半导体有限公司、功率半导体与集成技术全国重点实验室，拥有国际先进的半导体工艺线、器件测试平台及仿真软件如（TCAD）。与浙江大学、重庆大学、南京大学、西安交通大学等顶尖高校在超宽禁带材料（如氧化镓、金刚石）、忆阻器的器件物理与应用领域开展深度合作。同时，与国内功率半导体相关企业共建产学研基地，推动科研成果转化，为学生提供从理论到产业的全链条研究机会。
所在团队始建于2003年代初，是以西南交通大学首席教授，长江学者特聘教授，国家杰出青年基金（外籍）获得者，博士生导师-赵勇教授为学术带头人的、在国际国内有重要影响的多学科交叉团队，团队承担和完成二十多项国家级项目（包括863、973、国家自然科学基金重点项目、杰出青年基金、面上基金、博士点基金等）以及国际热核聚变实验堆（ITER)计划等多项国际合作项目，发表学术论文300余篇，其中SCI收录150余篇，引用3000余次。获得美国专利1项、欧盟专利1项、日本专利2项，中国发明专利申请和授权80余项。
研究方向包括：
(1) 超导材料及相关应用
(2) 太阳能材料及相关应用
(3) 电工理论与新技术
(4) 超导磁浮技术及应用
报考该导师研究生的方式欢迎你报考杨峰老师的研究生，报考有以下方式：
1、参加西南交通大学暑期夏令营活动，提交导师意向时，选择杨峰老师，你的所有申请信息将发送给杨峰老师，老师看到后将和你取得联系，点击此处参加夏令营活动
2、如果你能获得所在学校的推免生资格，欢迎通过推免方式申请杨峰老师研究生，可以通过系统的推免生预报名系统提交申请，并选择意向导师为杨峰老师，老师看到信息后将和你取得联系，点击此处推免生预报名
3、参加全国硕士研究生统一招生考试报考杨峰老师招收的专业和方向，进入复试后提交导师意向时选择杨峰老师。
4、如果你有兴趣攻读杨峰老师博士研究生，可以通过申请考核或者统一招考等方式报考该导师博士研究生。
