所属单位:西南交通大学
发明设计人:杨维清,黄海超,张海涛,陈宁俊,储翔,谢岩廷
专利说明:一种利用液晶化MXene替代三维MXene阵列的方法包括:将最大相材料进行刻蚀,得到具有良好导电性的MXene胶体溶液;而后将能够感应MXene形成三维网状结构的改性剂加入MXene胶体溶液中,混合均匀,得到改性的甲基液晶溶液;而后将具有表面亲水性的硅片表面均匀填充Mxene胶体溶液得到一层MXene膜;而后将两片硅片相对放置于改性Mxene液晶溶液中,并在外加电场的作用后进行急速冷却。该工艺合简单,反应容易控制。而制备得到的三维MXene阵列中层的取向性更好,且排列整齐。
专利类型:发明专利
专利状态:已授权
申请号:201910113618.1
发明人数:6
是否职务专利:是
申请日期:2019-02-12
公开日期:2019-05-03
授权日期:2019-11-05