个人简历

杨峰，博士，副研究员，2008年于浙江大学获得材料科学与工程博士学位，同年6月到西南交通大学超导与新能源研究开发中心工作。在光电功能纳米材料、半导体表面物理、半导体缺陷表征分析、忆阻器等领域发表SCI论文60余篇，包括IEEE Trans. Circuits Syst. II, IEEE Trans. Electron Devices, ACS Appl. Mater. Interfaces, Appl. Phys. Lett., Phys. Rev. B等，获得国家发明专利授权20余件（第一发明人），H因子26。主持和参与国家级、省部级项目10余项。

教育背景

本科：燕山大学，2002获工学学士学位

硕士：燕山大学，亚稳材料国家重点实验室，2005获材料物理硕士学位，研究方向：半导体物理，表面光电物理

博士：浙江大学高分子系，硅材料国家重点实验室，2008获材料科学与工程博士学位，研究方向：半导体物理，纳米光电功能材料

工作经历

2008.6 - 2011.8 西南交通大学，助理研究员

2011.9 - 至今   西南交通大学，副教授

科研

研究方向与前沿突破
本课题组聚焦功率半导体物理与器件领域的国际前沿，致力于攻克高功率、高效率、高可靠性的半导体器件关键技术。

当前主要研究方向包括：

1. 宽禁带与超宽禁带半导体器件：基于氮化镓（GaN）和氧化镓（Ga₂O₃）等新型材料，开发高击穿电压、低导通电阻的功率器件，突破硅基器件的物理极限。研究涵盖器件物理新机理、三维电荷平衡设计及集成技术，推动新能源汽车、智能电网等领域的能效革命；

2. 高压功率器件与集成技术：针对新能源、电力电子系统需求，探索超结（Super Junction）MOS器件的三维结构优化与封装应用，提升器件耐压能力与功率密度；

3. 半导体光电子与功率器件交叉创新：结合MOCVD外延技术，研发高功率LED、蓝光激光器及Si基电子功率器件，探索光电子与功率器件的协同集成路径；

4. 基于新型运算机制和神经网络的半导体新器件设计。

科研平台与合作网络
课题组依托学院和株洲中车时代半导体有限公司、功率半导体与集成技术全国重点实验室，拥有国际先进的半导体工艺线、器件测试平台及仿真软件如（TCAD）。与浙江大学、重庆大学、南京大学、西安交通大学等顶尖高校在超宽禁带材料（如氧化镓、金刚石）、忆阻器的器件物理与应用领域开展深度合作。同时，与国内功率半导体相关企业共建产学研基地，推动科研成果转化，为学生提供从理论到产业的全链条研究机会。