赵勇

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个人信息

办公地点:西南交通大学土木馆1713室

所在单位:超导与新能源研究开发中心

国外专利:

[1] Yong Zhao,Yong Feng, Yuan Wu, T. Machi, Y. Fudamoto, N. Koshizuka,M. Murakami,MgB2—based superconductor with high critical current density, and method for manufacturing the same,(美国发明专利 United States Patent: 6953770);


[2] Yong Zhao, T. Machi, D.X. Huang, N. Koshizuka, M. Murakami, "A method of preparing MgB2 superconducting materials"(日本发明专利 2001057041);


[3] Yong Zhao, T. Machi, N. Koshizuka, M. Murakami, "A method of preparing Bi2Sr2CaCu2O8 single crystals"(日本发明专利 2001167389);


国内专利:

[1] 江奇,赵勇.一种双电层电容器电极用的活化碳材料的制备方法(ZL200510021828.6)2007.11.14国家发明专利


[2] 蒲明华,李果,杜晓华,赵勇.一种高温超导涂层导体的缓冲层(ZL200610020920.5)2008.01.30国家发明专利


[3] 李果,蒲明华,周华明,王文涛,孙瑞萍,赵勇.一种无氟的化学溶剂沉积制备钇钡铜氧高温超导涂层导体的方法(ZL200610022016.8)2008.09.03国家发明专利


[4] 江奇,蔡玉冬,赵勇.纯碳纳米管薄膜的制备方法(ZL200610022327.4)2008.9.24国家发明专利


[5] 江奇,赵勇.一种双电层电容器电极及其制备方法(ZL200410021684.X)2009.01.21国家发明专利


[6] 陈永亮,崔雅静,张 勇,赵 勇.一种制备钡铅铋氧超导及电子材料的方法(ZL200710049127.2)2009.07.29国家发明专利


[7] 陈永亮,崔雅静,张 勇,赵 勇.一种制备钡钾铋氧铋酸盐超导材料的方法(ZL200710049009.1)2009.08.12国家发明专利


[8] 赵立峰,秦公平,赵勇.高温超导磁悬浮实验车用液氮低温容器(ZL200920078428.2)2009.10.28实用新型专利


[9] 王文涛,赵勇,蒲明华,木丽云.一种高分子辅助沉积高温超导涂层导体超导层的方法(ZL200810044289.1)2009.12.02国家发明专利


[10] 赵勇,张红,雷鸣,李果,蒲明华,程翠华.高分子辅助硝酸盐沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法(ZL200810044628.6)2010.7.21国家发明专利


[11] 赵勇,蒲明华,张红,李果,雷鸣,程翠华.高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法(ZL200810044629.0)2010.7.28国家发明专利


[12] 何 伟,羊新胜,阚 香,张元发,杨立芹,赵 勇.一种纳米镧锶锰氧化物的制备方法(ZL 200810045116.1)2010.10.6国家发明专利


[13] 郑果,蒲明华,刘见芬,赵勇,王贺龙.一种强取向双轴织构的镍-铜金属基带层的制备方法(ZL 200810044501.4)2010.10.06国家发明专利


[14] 陈永亮,崔雅静,赵 勇,张 勇,程翠华.一种铁基SmFeAsO1-xFx超导线材的制备方法(ZL 200810045897.4)2010.12.01国家发明专利


[15] 潘熙锋,赵勇.一种制备高致密二硼化镁超导线、带材的方法(ZL200910058026.0)2010.12.01国家发明专利


[16] 潘熙锋,赵勇,杨烨,周杰俤.一种制备二硼化镁超导线、带材的方法(ZL200810044433.1)2010.12.22国家发明专利


[17] 杨峰,刘艳华,赵勇.一种空心微米硫球的制备方法(ZL200910060301.2)2010.12.29国家发明专利


[18] 李果,蒲明华,杜晓华,孙瑞萍,赵勇.一种制备高温超导涂层导体的缓冲层的方法(ZL200610022014.9)2009.02.04国家发明专利


[19] 阚香,蒲明华,白云强,刘鸿斌,赵勇.一种制备衫钡铜氧单畴超导块材的方法(ZL200710048814.2)2009.06.24国家发明专利


[20] 江奇,宋利君,赵勇.一种原位生长碳纳米管化学修饰电极的制备方法(ZL200610022326. X)2011.03.30国家发明专利


[21] 赵立峰,黄正银,赵勇.一种制备铌钛酸锶薄膜的方法(ZL200810045725.7)2011.05.04国家发明专利


[22] 陈永亮,崔雅静,张 勇,赵 勇.一种制备氟化稀土的方法(ZL200810045898.9)2011.06.15国家发明专利


[23] 杨峰,赵勇.一种用作镍/锌电池负极材料的纳米花形硫酸氢氧锌的制备方法(ZL201010181457.9)发文序号:2011070700444380国家发明专利


[24] 杨峰,蔡芳共,赵勇.同步晶化制备无基底TiO2纳米管/线复合阵列透明薄膜的方法(ZL201010592189.X)发文序号:2011090900016500国家发明专利


[25] 杨峰,赵勇.一种树枝状硫纳米结构的制备方法(ZL201010181055.9)发文序号:2011091300150210国家发明专利


[26] 杨峰,赵勇.一种低光强下高转换效率染料敏化太阳能电池TiO2薄膜的制备方法(ZL201010181108.7)2011.09.14国家发明专利


[27] 张勇,赵勇,伍志寰.一种水合钠钴氧超导材料的制备方法(ZL200810044806.5)2011.12.21国家发明专利


[28] 羊新胜,赵 勇,杨立芹,吕 莉.一种粘接型钙钛矿锰氧化物材料(ZL 200810045859.9)2011.01.19国家发明专利


[29] 江奇,赵晓锋,周先礼,赵勇.一种碳纳米管/聚苯胺网状复合材料的制备方法(ZL200910167766.8)发文序号:2011060300328460国家发明专利


[30] 江奇,卢晓英,赵勇.一种三维立体宏观碳纳米管网的制备方法(ZL201010175749.1)2011.08.24国家发明专利


[31] 江奇,卢晓英,赵勇.一种高致密的三维立体宏观碳纳米管网的制备方法(ZL201010180324.X)2011.08.24国家发明专利


[32] 江奇,卢晓英,赵勇.一种致密的三维立体宏观碳纳米管网的制备方法(ZL201010179922.5)2011.08.24国家发明专利


[33] 江奇,张倩,赵勇.一种制备含碳无机材料—聚合物复合材料的方法(ZL200810044466.6)2011.08.24国家发明专利


[34] 江奇,黄彬,卢晓英,赵勇.一种疏松的三维立体宏观碳纳米管网的制备方法(ZL201010179440.X)2011.09.14国家发明专利


[35] 江奇,曹甫洋,卢晓英,赵勇。一种原位生长石墨烯制备其化学修饰电极的方法,中国发明专利, ZL201310444550.8,2016年6月29日授权


[36] 蒋婧,李宇航,赵勇,程翠华,张勇。一种高梯度强磁场磁悬浮特性测试装置,实用新型专利,ZL201520738620.5,2016年2月24日授权


[37] 杨峰,鲁双伟,赵勇。一种微米实心硫化铜球的制备方法,国家发明专利:ZL201510075704.X, 2016年8月24日授权


4)张敏,赵勇,吕莉,魏占涛,羊新胜。一种制备拓扑绝缘体Bi2Se3薄膜的方法,国家发明专利, ZL 201310487902.8, 2016年04月20日授权

[38] 羊新胜,张敏,赵勇,魏占涛,吕莉。一种制备高温超导涂层导体La0.7Sr0.3MnO3缓冲层薄膜的方法, 国家发明专利, ZL 201310487822.2,2016年02月03日授权


[39] 王刚,羊新胜,赵勇,朱运鹏,刘力源,黄海于。一种多功能氦气冷凝循环系统。国家发明专利,ZL 201310514085.0,2016年03月02日授权


[40] 羊新胜,王刚,赵勇,朱运鹏,刘力源,张勇,黄海于。一种氦气回收循环利用装置的专用机柜。国家发明专利,ZL201510024634.5,2016年04月20日授权


[41] 羊新胜,师江涛,刘力源,邱添,张勇,赵勇。一种拉力下高温超导带材各向异性的测试装置。 实用新型, ZL201620290857.6,2016年10月12日授权


[42] 羊新胜,刘力源,赵勇,王刚,张勇,朱运鹏,邱添。一种可变高磁场下高温超导线圈磁悬浮特性测试设备。实用新型, ZL 201521088249.9,2016年06月15日授权


[43] 张欣,表面具有纳米颗粒析出相的高温超导涂层导体Er0.6Sr0.4BiO3缓冲层及制备方法,2016年2月23日授权,ZL201410322592.9


[44] 张红,赵勇,蒲明华,一种空气中制备超导涂层导体用NiO缓冲层的方法,国家发明专利,201410139569.6,2016年7月13日授权


[45] 张红,李磊,赵勇,一种高致密度MgB2超导体的制备方法,国家发明专利,201610885203.2,2016年10月11日申请


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