所属单位：西南交通大学
发明设计人：杨维清,黄海超,张海涛,陈宁俊,储翔,谢岩廷
专利说明：一种利用液晶化MXene替代三维MXene阵列的方法包括：将最大相材料进行刻蚀，得到具有良好导电性的MXene胶体溶液；而后将能够感应MXene形成三维网状结构的改性剂加入MXene胶体溶液中，混合均匀，得到改性的甲基液晶溶液；而后将具有表面亲水性的硅片表面均匀填充Mxene胶体溶液得到一层MXene膜；而后将两片硅片相对放置于改性Mxene液晶溶液中，并在外加电场的作用后进行急速冷却。该工艺合简单，反应容易控制。而制备得到的三维MXene阵列中层的取向性更好，且排列整齐。
专利类型：发明专利
专利状态：已授权
申请号：201910113618.1
发明人数：6
是否职务专利：是
申请日期：2019-02-12
公开日期：2019-05-03
授权日期：2019-11-05
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