聚焦于原子层刻蚀（Atomic Layer Etching, ALE）的反应机理与工艺方法，致力于揭示表面自限制化学-物理耦合过程中的原子级去除机制。通过精准调控前驱体吸附、表面改性与低能离子剥离等关键步骤，发展面向高深宽比结构、二维材料及异质集成体系的ALE新路径，为先进集成电路、量子器件、MEMS传感器等高端芯片制造提供原子尺度的无损、高选择性刻蚀解决方案，支撑我国在半导体、航空航天与量子科技等关键领域的自主可控发展。