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Research Focus
原子层刻蚀（ALE）机理与方法
聚焦于原子层刻蚀（Atomic Layer Etching, ALE）的反应机理与工艺方法，致力于揭示表面自限制化学-物理耦合过程中的原子级去除机制。通过精准调控前驱体吸附、表面改性与低能离子剥离等关键步骤，发展面向高深宽比结构、二维材料及异质集成体系的ALE新路径，为先进集成电路、量子器件、MEMS传感器等高端芯片制造提供原子尺度的无损、高选择性刻蚀解决方案，支撑我国在半导体、航空航天与量子科技等关键领域的自主可控发展。
Hongbo Wang
Lecturer (higher education)
Gender:Male
Education Level:PhD graduate
Alma Mater:西南交通大学
Main positions:智能制造与装备系主任助理
Other Post:智慧城市与交通学院本科教学秘书
Degree:Doctor of engineering
Status:在岗
School/Department:城市轨道交通学院（智慧城市与交通学院）
Business Address:西南交通大学犀浦校区3号教学楼31719房间