李旭，博士，助理教授/讲师，IEEE Member，中国电子学会会员，中国电源学会会员，长期从事宽禁带半导体SiC功率器件芯片设计、可靠性与应用研究工作，围绕栅氧可靠性、极端应力（短路、浪涌、雪崩）冲击可靠性和电力电子系统应用，开展包括物理机理、 预测模型、表征技术、先进结构和高频应用方面的研究。参与国家自然科学基金重点项目1项、国防项目4项、省级自然科学基金2项。在IEEE Transactions on Power Electronics、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices、ISPSD等权威学术期刊或重要学术会议上发表学术论文15篇。

个人经历：

①  2025 ~ 至今   西南交通大学 | 集成电路科学与工程学院 | 助理教授/讲师

②  2018 ~ 2024  电子科技大学 | 电子科学与技术 | 硕士/博士

③  2014 ~ 2018  电子科技大学 | 微电子科学与工程 | 学士

代表作：

[1]  Li X, Deng X C, Liao Z X, Li X, Jia R X, Zhang B. Failure mechanism of 1200-V SiC MOSFET with embedded Schottky barrier diode under short-circuit condition[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2025, 72(3): 1259-1263.

[2]  Li X, Deng X C, Huang J Y, Li X, Chen W J, Zhang B. Accurate evaluation of threshold voltage hysteresis in SiC MOSFET under switching stress[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2024, 39(11): 14118-14121.

[3]  Li X, Deng X C, Li X, Xu X J, Wen Y, Wu H, Chen W J, Zhang B. A novel SiC MOSFET with embedded auto-adjust JFET with improved short circuit performance[J]. IEEE Electron Device Letters, 2021, 42(12): 1751-1754.

[4]  Deng X C, Li X, Li X, Zhu H, Xu X J, Wen Y, Sun Y K, Chen W J, Zhang B. Short-circuit capability prediction and failure mode of asymmetric and double trench SiC MOSFETs[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2020, 36(7): 8300-8307.

[5]  Li X, Li X, Liu P K, Guo S X, Zhang L Q, Huang A Q, Deng X C,Zhang B. Achieving zero switching loss in silicon carbide MOSFET[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 34(12): 12193-12199.

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