在该方向中，我们重点研究外延生长的技术优化（如脉冲激光沉积（PLD）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）等），以及如何控制薄膜的应力、晶格匹配、缺陷密度等关键因素。这些因素直接影响到薄膜的物理性质，如电子迁移率、光学响应和力学性能。通过精确控制外延生长过程，能够在纳米尺度上调节薄膜的电子结构和晶体缺陷，从而为下一代电子与光电器件的设计提供重要基础。